长飞先进半导体武汉基地首栋建筑封顶预计明年7月正式投产

近日，长飞先进半导体（武汉）有限公司投资的武汉基地项目首栋宿舍楼提前封顶，预示着该项目进入投产前的最后阶段。该基地位于武汉新城中心片区，总投资约200亿元，主要针对第三代半导体功率器件的研发与生产，服务于新能源汽车、光伏储能等领域，预计明年7月正式投产。

项目自去年9月开工，由中建一局承建，占地面积约22.94万平方米，建筑面积约30.15万平方米。经过项目团队克服技术难题及极端天气影响，关键工期节点顺利完成。长飞先进半导体项目达产后，年产量预计可达36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，有望推动武汉成为国内化合物半导体产业的重要基地，并吸引全球高端人才聚集，共同构建活跃的产业生态。

武汉市委副书记、代市长盛阅春率队莅临长飞先进武汉基地进行考察交流时对长飞先进的创新成果和战略布局表示充分肯定，尤其对武汉新城诞生的第一个项目——长飞先进武汉基地（第三代半导体功率器件研发生产基地）项目表示了大力支持。他强调，要高标准高水平建设武汉新城，带动武鄂黄黄同城一体化发展，当好高质量发展排头兵，奋力实现“双过半”。